详细说明
断态电压(V): 3.3
I泄漏(μA): 1
ESD触点(kV): 30
断态电压(V): 2.8
2.8V 40A TVS阵列
断态电压(V): 1.1
I泄漏(μA): 1.0
ESD触点(kV): ±30
2.8V 30A TVS阵列
符合AEC-Q101标准: YES
I泄漏(μA): 0.1
150A /3.3V 用于宽带保护的低电容二极管阵列
用于宽带保护设备的150安培6伏低电容二极管阵列
断态电压(V): 6
I泄漏(μA): 25
以太网供电PSE保护
断态电压(V): 58.0
SP1255系列VBUS电流为160A
断态电压(V): 13.5
3.3V 75A二极管阵列
2.5V 20A二极管阵列
断态电压(V): 2.5
I泄漏(μA): 0.5
2.5V 40A二极管阵列——符合AEC-Q101标准
符合AEC-Q101标准: 是
6V 20A二极管阵列
3.3V 20A二极管阵列
3.3V 15A二极管阵列
I泄漏(μA): 0.05
SP3374NUTG 3.3V 40A二极管阵列
2.5pF,30A分散式瞬态抑制二极管
2.5pF,25A分散式瞬态抑制二极管
断态电压(V): 5
1.3pF,15A分散式瞬态抑制二极管
断态电压(V): 12
1.3pF,12A分散式瞬态抑制二极管
断态电压(V): 15
1.3pF,7A分散式瞬态抑制二极管
断态电压(V): 24
3.3V二极管阵列
1.5pF 24A二极管阵列(HDBaseT)
3.3V 20A二极管阵列——符合AEC-Q101标准
5V 25A二极管阵列
I泄漏(μA): 5
70V 40A二极管阵列
断态电压(V): 70
8pF 30A二极管阵列
I泄漏(μA): 10
8pF 35A二极管阵列